Samsung, bugün yaptığı duyuruda 5 nm FinFET geliştirme sürecinin tamamlandığını ve müşteri örneklerinin hazır olduğunu söyledi. Şirket, DRAM (Dinamik RAM) pazarının düşüşte olmasına rağmen ürün yelpazesine yeni bir teknoloji daha ekledi.
Yarı iletken pazarındaki genel fikir birliği, Samsung’un bu sene içerisinde liderlik koltuğunu Intel’e bırakacağı yönünde. Bununla ilgili ilk tahminler IC Insights ve Gartner’dan geldi. DRAM pazarındaki sorun, bellek fiyatlarındaki düşüşe rağmen talebin beklenen seviyeye gelmemesi.
Samsung ise bu endişelere bu alanda çıkardığı yeni ürünlerle cevap vermeyi tercih etti. Şirketin son aylarda çıkardığı teknolojiler arasında aşağıdaki ürünler bulunuyor.
- İlk LPDDR5 SDRAM modülü
- İlk eMRAM
- İlk HBM2E uyumlu ürünü
- İlk üçüncü nesil 10 nm sınıfı (1z-nm) 8 GB DDR4 DRAM
Güney Koreli teknoloji devi, aynı zamanda Hwaesong’daki yeni fabrikasına yaptığı yatırımları iki katına çıkarmayı düşünüyor. Şirket, bunlara ek olarak 5 nm EUV (aşırı ultraviyole litografi) teknolojisini de listesine ekledi. Samsung, yaptığı açıklamada 5 nm EUV sürecini tamamladığını söyledi ve var olan 7 nm işleme teknolojisiyle şöyle kıyasladı: “%20 daha az enerji tüketimiyle birlikte %25 daha fazla verimlilik sağlıyor. Standart hücre mimarisi geliştirme sürecinin sonucunda %10 daha yüksek performans veriyor.”
Şirket ayrıca fikir haklarının çoğunun yeniden kullanılabileceğini açıkladı. Yani bu; müşterilerin azalan taşıma maliyetlerinden ve önceden onaylanmış tasarım ekosisteminden daha fazla yararlanmasına olanak tanınacağı dolayısıyla 5 nm ürün geliştirme sürecinin kısalacağı anlamına geliyor.
