Samsung, DDR4 RAM'inin temelini oluşturacak olan 10 nanometre sınıfı 8Gb'lik DDR4 DRAM'ın ikinci neslinin seri üretimine başlarken, bu yeni neslin bir öncekine kıyasla yaklaşık % 10 daha hızlı ve % 15 daha verimli olduğu belirtildi. Yeni 8Gb DD4, önceki jenerasyonun 3.200 Mbps'ine kıyasla pin başına saniyede 3.600 megabitte çalışıyor.
Bu yeni nesil RAM'lerin akıllı telefonlarda, dizüstü bilgisayarlarda, akıllı saatlerde ve kısaca akıllı cihazların her türlüsünde kullanılmak üzere tasarlandığı belirtildi. Diğer yandan Samsung'un 2. nesil 10nm sınıfı DRAM hücrelerinde, yeni tasarlanmış olan veri algılama sistemi, her bir hücrede depolanan verilerin daha doğru bir şekilde tespit edilmesini mümkün kılıyor ve devre entegrasyonu ve üretim verimliliği seviyesinde belirgin bir artışa neden oluyor.
Kısaca açıklamak gerekirse Samsung'un yeni RAM teknolojisi, daha yüksek verim ve hız sayesinde takılı olduğu cihazın güç tüketiminde farkedilir bir enerji tasarrufuna yol açacak. Samsung'un yakın gelecekteki cihazlarında bu ürünleri kullanması, stabillik açısından bir adım öne geçmesi anlamına gelebilir.
