Samsung, geçtiğimiz hafta gerçekleştirdiği yıllık Foundry Forum etkinliğinde 7nm Low Power Plus, 5nm Low Power Early ve 3nm Gate-All-Around Early/Plus işlemci üretim süreci konusundaki yol planını açıkladı.
Buna göre şirket, 7nm LPP sürecinde ilk kez EUV litografi çözümü kullanacak ve bu yılın ikinci yarısında üretime hazır hale getirecek. Yeni işlem sürecindeki parçaların seri üretimi ise 2019 yılının ilk yarısında başlayacak.
Samsung’un 5nm LPE çipleri ise ultra güç tasarrufu sağlayacak ve FinFET kullanan son çipler olacak. Daha sonra 4nm Low Power Early/Plus işlem süreci başlayacak. Bu çipler çok daha küçük boyutlu fakat yüksek performanslı olacak.
Önceki raporlara göre Samsung, Snapdragon 855 mobil platform için üreteceği çipleri 7nm işlem süreci ile üretecek. Söz konusu çipler aynı zamanda Samsung’un 10. yıl özel telefonu Galaxy S10’a güç verecek.
Samsung, 3nm işlem sürecinden itibaren kendi yeni nesil GAA mimarisi MBCFET kullanacak. 3nm üretim sürecinin 2022 yılından önce başlaması beklenmiyor. 3nm çipler, şu ana kadarki en yüksek performanslı ve düşük güç tüketimli işlemciler olacak.
