Samsung Yönetim Kurulu Başkan Yardımcısı Lee Jae-young, 2020 yılında ilk iş olarak şirketin Gyeonggi Eyaleti, Hwaseong'daki araştırma ve geliştirme merkezini ziyaret etti. Samsung varisi, şirketin global müşterileri tarafından sipariş edilen en yeni yongalarla beraber, geliştirilmekte olan 3 nm teknolojisi üzerinde yoğunlaştı. Aynı zamanda kuruluşun yeni senedeki ticarileştirme planlarını tartışarak yonga üreticilerinin mikro yongalar için nanometre aralığını daha da ileriye taşımasını sağlayan mevcut FinFET teknolojisinin mimari bir ardılı olarak bilinen GAA hakkında da çeşitli açıklamalarda bulundu.
Takip edenler bilecektir, Samsung, geçen yıl nisan ayında ultraviyole teknolojilerine dayanan 5 nm'lik bir FinFET süreç teknolojisinin geliştirilmesini tamamlamış ve yeni nesil nanometre süreç teknolojisi üzerinde çalıştığını duyurmuştu.
Verimlilik artışı resmi olarak açıklandı
Şirket, 5 nm işlemiyle karşılaştırıldığında, 3 nm GAA teknolojisinin verimliliğinde yüzde 50'den daha düşük güç tüketimi ve yaklaşık yüzde 30 daha yüksek performans ile yüzde 35'ten fazla bir artış sağladığını söyledi.
Samsung sözcüsü, “Lee’nin Ar-Ge merkezini ziyareti, Samsung’un bellek dışı alanda en iyi yonga üreticisi olma sözü verdiğini bir kez daha tüm çalışanlara hatırlattı” sözleriyle alanlarında en iyi olma iddialarının altını çizdi. Samsung Electronics’in müşterilerinin ve pazarın ihtiyaç duyduğu gereksinimlere dayanarak, belirgin rekabet avantajları ve mükemmel üretilebilirlik sağlamak için portföyünü genişletmeye devam edeceği de tekrar vurgulandı.
Geçen yıl, Samsung, 2030 yılına kadar dünyanın en büyük yonga sistemleri üreticisi olmak amacıyla 133 trilyon won (111,85 milyar dolar) yatırım planı yaptığını açıklamıştı. Şirket cephesinden gelecek yeni yol haritası da merakla bekleniyor.
