• TSMC, 3 nm Devreler Üzerinde Çalışmaya Başladığını Duyurdu

TSMC, 3 nm Devreler Üzerinde Çalışmaya Başladığını Duyurdu

14
5
3
1
1
Tayvan merkezli yarı iletken üretim firması TSMC, 3 nm devre geliştirmede çalışmalar yürüttüğünü duyurdu. Şirket, bu devre için bazı şirketlerle anlaşmalarını dahi yaptı.

TSMC gibi çığır açan şirketler durmadığı sürece üretim teknolojilerinin gelişimi de sürekli olarak devam ediyor. Dolayısıyla TSMC’nin 3 nm devre geliştirme üzerinde çalıştığını duyurması çok da şaşırtıcı değil. Hatta şirket, müşterileriyle erken anlaşmalara bile başladı.

N3 teknolojisinin erken geliştirme aşamasından bu yana TSMC, ne sürecin spesifik karakteristiği ne de N5’in avantajları hakkında konuşmuyor. Şirket, 3 nm için tüm muhtemel iletken yapısı seçeneklerini değerlendirdiğini ve müşterileri için ‘oldukça iyi bir çözümle’ geldiğini söyledi. Teknik özellikler geliştirme aşamasında ve şirket, ortaklık yaptığı şirketlerin ihtiyaçlarını karşılayacağı konusunda oldukça özgüvenli.

Rekabet

TSMC

TSMC’nin en büyük rakiplerinden bir tanesi olan Samsung Foundry, 3 nm (3GAAE) proses teknolojisi için nanolevha bazlı Gate-All-Around MBCFET iletkenler kullanmayı planlıyor. TSMC, rakibiyle bir rekabet içerisinde girdiğinden bu yana şirketin 5 nm devrelerine kıyasla 3 nm devrelerini geliştirmesi bekleniyor. Ayrıca TSMC, N3’ün yepyeni bir teknoloji olduğunu ve gelişmiş bir N5 sürümü olmadığını da onayladı.

TSMC’nin 3nm devresinde hem derin ultraviyole (DUV) hem de ekstrem ultraviyole (EUV) litografi ekipmanı kullanacağını söylemek mümkün. TSMC’nin N5’inde 14 EUV katmanı bulunuyordu, dolayısıyla N3’te katman sayısının artması da oldukça muhtemel. Dünyanın en büyük yarı iletken sözleşmelerini yapan şirketinin EUV süreci konusunda oldukça mutlu olduğu da su götürmez bir gerçek.

Kaynak : https://www.anandtech.com/show/14666/tsmc-3nm-euv-development-progress-going-well-early-customers-engaged
14
5
3
1
1
Emoji İle Tepki Ver
14
5
3
1
1