• RAM’ler İçin Oyunun Kurallarını Değiştirecek Keşif!

Yeni Nesil Yüksek Hızlı RAM’ler İçin Oyunun Kurallarını Değiştirecek Keşif!

76
8
4
4
3
Bilgisayar üreticilerinde bitmek bilmeyen “bir sonraki en iyi bilgisayarı nasıl yaparız?“ arayışı vardır. Cihazlarımızın performansını doğrudan etkileyen RAM donanımları, malzeme bilimi ve mühendisliği sayesinde evrim geçirdiler. Fakat bu kez sıradaki en iyi bilgisayarlarda yer alacak RAM’ler için ideal teknoloji keşfedildi.

Bilgisayar bilimleri ve malzeme mühendisliğinin birlikteliği, gün geçtikçe işlemcilerin ve diğer birimlerin küçülmesini sağlıyor. Bundan 15 yıl önce animasyon filmlerin yapımında kullanılan teknikler, artık cebimize bile girmeye başladılar. Bu donanımların üreticileri ise her zamanki gibi en iyisi için araştırmalarına devam ediyorlar.

Çinli bilim insanlarının bilgisayarlarımız kapalı olduğunda bile bilgi toplayabilen “Faz değiştiren rastgele erişim belleği” olarak adlandırdıkları bir keşifleri var. Bu teknoloji, mevcut ileri düzeydeki RAM’lerden 10 kat daha hızlı çalışıyor.

Yıllardır bilgisayarlar daha küçük, daha hızlı ve daha ucuz olmaya başladılar. Ancak bellek teknolojilerindeki gelişmeler son yıllarda biraz yavaşladığı için bu konudaki alternatif arayışları hızlandırıldı. 1960’lı yıllarda çıkan PCRAM, bilgisayarınızın merkezi işlemcisinin hesaplamalar yaparken kullandığı geçici belleklerdir. Sonra ortaya RAM’ler çıktı. Ardından statik (SRAM) ve dinamik (DRAM) olarak ikiye ayrıldılar, bu çözümler geçiciydi.

Bilgisayar bilimlerinde bütün veriler dijitalleşmek için 0’a ve 1’e dönüştürülürler. PCRAM teknolojisi ise bu iki durum arasındaki değişiklikleri sadakatle işler. Büyük miktarda veri akışı sonrasında ısınabilirler. Haliyle yavaşlarlar.

Buradaki sorun RAM bileşenlerinde kullanılan malzemelerden kaynaklanır. Germanyum, antimon ve tellür elementlerinden oluşan alaşımlar, veri akışından sorumlu olurlar. İşte bu alaşımların hıza doğrudan etki ettiğinin bilincinde olan Çin Bilimler Akademisi Şangay Enstitüsü araştırmacıları, tüm RAM teknolojisindeki oyunun kurallarını baştan yazacak bir keşif yaptılar. Üstelik bu çalışmaları, son ve en hızlı bellek teknolojisi olan NAND flash tekniğinden bile iyi sonuçlar veriyor.

Yüksek hızlarda çalışması gereken anlarda, yani yüksek miktarda verinin transfer edildiği zamanlarda faz değiştiren materyallerin kullanılması, bu malzemelerin kimyasal yapısına ve çekirdeklerinin stabilize edilmesine bağlı. Ekip, yaptıkları keşif üzerine geniş kapsamlı bir simülasyon çalışması da başlattı. Ortaya çıkan verilere göre en stabil malzeme skandiyum isimli element. Bu element diğer elementlerle güçlü bir bağ kurabiliyor ve küp şeklinde çekirdekler oluşturuyor. Bu durum, oda sıcaklığının altında bile bozlulmadan devam ediyor.

Mevcut sistemler bir verinin 10 nanosaniye gibi birim zamanlarda aktarılmasını sağlarken bu yeni sistemde aynı birim zaman 1 nanosaniye olarak ölçüldü. Bu, hissedilebilir işlem hızında 10 katlık bir artış anlamına geliyor.

Yapılan araştırmanın sonuçları Intel, AMD ve daha nice bilgisayar birimi üreticisinin dikkatini çekecektir. Her ne olursa olsun tüketici elektroniğinde böylesine büyük bir sıçrayışı beklemek mantıklı olamaz. Çünkü söz konusu teknolojilerin seri üretime geçirilmesi çoğu zaman, onları keşfetmek ve uygulamak kadar zor olabiliyor.

Kaynak : http://www.sciencemag.org/news/2017/11/phase-shifting-computer-memory-could-herald-next-generation-ram
76
8
4
4
3
Emoji İle Tepki Ver
76
8
4
4
3