Paylaş
0
Çoğu insan Samsung’u telefon gibi ürünleriyle tanısa da Güney Koreli teknoloji devi aynı zamanda dünyanın en büyük bellek çipi üreticilerinden biri. Şimdi ise şirket, sektörde çığır açacağı söylenen V10 BV-NAND depolama çipini resmen duyurdu.
ABD’de düzenlenen Future of Memory and Storage 2026 fuarında tanıtılan ürün, 10. nesil dikey NAND mimarisi üzerine kuruluyor. Bu yeni depolama çipi, şirketin önceki nesil NAND çözümlerine kıyasla kapsamlı bir teknik sıçramayı temsil ediyor.
İçerikten Görseller
Veri merkezleri için geliştirildi
Bellek çipinin son kullanıcıya ulaşmayacak bir ürün olduğunu belirtelim. Öyle ki direkt veri merkezleri için tasarlandı. Günümüz yapay zekâ sistemlerinde ve bulut sunucularında verinin işlenme hızı kadar depolama birimlerine yazılması ve okunması da büyük önem taşıyor. Derin öğrenme modelleri milyarlarca parametreyi anlık olarak işlerken geleneksel depolama çözümleri veri iletiminde darboğaz oluşturabiliyor.
Samsung’un geliştirdiği V10 BV-NAND bellek çipi, tam olarak bu performans darboğazlarını aşmak ve yapay zekâ sunucularındaki gerçek zamanlı, yoğun veri yüklerini göğüslemek üzere tasarlandı. Şirket, yeni bellek biriminin yüksek işlem gücünü daha düşük enerji tüketimiyle bir araya getirdiğini vurguluyor.
Samsung, V10 BV-NAND ile birlikte depolama katmanlarını sadece üst üste dizmekle kalmayıp kontrol devreleri ve bellek hücrelerini optimize bir biçimde bir araya getiren yeni bir yaklaşıma geçiş yaptı. Bu yapısal dönüşüm, gelecekte veri merkezlerinin fiziksel ayak izini küçültürken depolama kapasitelerini katlamalarına olanak tanıyacak.
V10 BV-NAND, üretim mimarisinde oldukça kritik bir yeniliği de beraberinde getiriyor. Şirket, bu çipte yeni bir plaka birleştirme teknolojisi kullanarak yarı iletken sektöründe bu türden bir mimariyi hayata geçiren ilk üretici ünvanını kazandı. Bu özel birleştirme yöntemi, mikro çip seviyesinde hücre yapılarının dikey olarak sorunsuz bir biçimde istiflenmesine imkan tanıyor. Böylece firma, 400’ün üzerinde katmanı dikey olarak dizmeyi başarmış. Katman sayısındaki bu rekor artış, bir önceki nesil olan dokuzuncu nesil NAND çiplerine kıyasla yaklaşık %58 oranında daha yüksek bir bellek yoğunluğu elde edilmesini sağladı.
Teknoloji devi, çipin ticari olarak pazara sunulacağı tarih hakkında henüz resmi bir açıklamada bulunmadı.
