Bellek üreticileri, yıllardır RAM ve NAND'ın avantajlarını tek bir bellekte sunabilmenin etkili bir yolunu arıyorlar. Bellek teknolojisindeki gelişmeler, RAM ve SSD'lerin her geçen yıl daha hızlı ve daha verimli hale gelmelerini sağlıyor. Ayrıca bellek içi hesaplama yapmanın bir yolunu bulmaya odaklanan ve esasen bir cihazın işlemci, bellek ve uçucu olmayan RAM’ler arasında ileri geri veri ihtiyacını ortadan kaldırmayı amaçlayan birçok çalışma yapılıyor.
İngiltere’de bulunan Lancaster Üniversitesi'ndeki araştırmacılar, DRAM hızlarında çalışan yeni bir tür kalıcı bellek oluşturduklarını ve bu DRAM türünün veri yazarken ihtiyaç duyulan enerjinin sadece yüzde birini kullandığını söylüyorlar. UK III-V Memory adı verilen bu yeni nesil bellek, 20nm litografik süreç ile inşa edildi. Yazma sırasında, prototipin 2.1V'luk bir güç kullanarak verileri silebildiği ve programlayabildiği söylenirken, tipik NAND hücrelerinin bunun için 3V’luk güç harcadığına dikkat çekildi.
İngiliz araştırmacılar tarafından geliştirilen yeni DRAM türü, tıpkı tabletler ve telefonlar gibi PC’lerin de anında açılmasına imkan sağlayabilir. Çalışmanın lideri Manus Hayne, yeni belleğin verileri yeniden yapılandırması gerekmediğini veya veri bütünlüğünü sağlamak için sürekli olarak yenilemesi gerekmeyeceğini söylüyor.
UK III-V adındaki DRAM türü, cihazların bir güç kaybı durumunda verileri saklamasını ve verilerin kaldığı yerden yeniden açılmasını sağlayabilir. Patent alma sürecinde olduklarını ifade eden Hayne, yeni teknolojinin 100 milyar dolarlık bellek pazarının en önemli oyuncusu olabileceğine inanıyor.
Bu arada Güney Kore merkezli bir yarı iletken üreticisi Hynix, HBM2E teknolojisini temel alan ve saniyede 460GB'ın üzerinde veri aktarabilen dünyanın en hızlı DRAM'ini de üretmeyi planlıyor. Benzer şekilde Intel de Optane DC Kalıcı Bellek DIMM'lerini müşterileriyle buluşturmaya başladı.
