Gelişmiş bellek teknolojisinde dünyanın sayılı şirketlerinden olan Samsung, bugün Flashbolt adı verilen üçüncü nesil ‘High Bandwidth Memory 2E’ (HBM2E) belleğini duyurdu. Yeni 16 GB HBM2E, bilgi işlem sistemlerinin performansını en üst düzeye çıkaracak ve sistem üreticilerinin; süper bilgisayarlarını, yapay zekâ odaklı veri analizlerini ve son teknoloji grafik sistemlerini geliştirmesine yardımcı olacak.
Samsung Bellek Satış ve Pazarlama Başkan Yardımcısı Cheol Choi, yeni tanıtılan bellek ile ilgili “Bugün, mevcut olan en yüksek performanslı DRAM'in piyasaya sürülmesiyle hızla büyüyen yüksek kaliteli bellek pazarındaki lider rolümüzü geliştirmek için kritik bir adım atıyoruz” ifadelerini kullandı. Choi, sözlerine “Samsung, küresel bellek pazarındaki gücünü pekiştirirken gerçekten farklılaşmış çözümler üretme sözünü yerine getirmeye devam edecek” şeklinde devam etti.
Yeni nesil Flashbolt neler sunuyor?
Önceki nesil 8 GB HBM2 ‘Aquabolt’un iki katı kapasite sunacak olan Flashbolt, yeni nesil bilgi işlem sistemlerini önemli ölçüde iyileştirmek için performans ve güç verimliliğini de ciddi anlamda geliştiriyor. Bu noktada Güney Koreli firma, 16 GB’lık yeni belleğin 3,2 Gbps veri aktarım hızına sahip olduğunu söylüyor.
3.200 MHz'de çalışan Flashbolt, 1.024 bit bellek arayüzüyle 410 Gbps bant genişliği sunuyor. Bununla birlikte Samsung, belleği 4.200 MHz'de çalışacak şekilde test etti ve bant genişliğini 538 Gbps’e kadar çıkardı. Yapılan bu testler, yeni HBM2E’nin büyük bir overclock potansiyeline sahip olabileceğinin sinyallerini veriyor.
Bir kıyaslama yapacak olursak Samsung’un bir önceki nesil HBM2 belleği Aquabolt, toplam 8 GB kapasiteye sahipti, 2.400 MHz’de çalışıyordu ve yığın başına maksimum 307,2 Gbps bant genişliğine ulaşabiliyordu. Flashbolt’un 538 Gbps’lik bant genişliği ise Aquabolt’a kıyasla %75’lik bir artış sunabileceği anlamına geliyor. Firma, yüksek hızlara çıkabilen Flashbolt’un üretimlerine yılın ilk yarısında başlamayı planlıyor.
